深紫外LED技術由于具有高能量密度、高空間分辨率、無污染污染、長壽命、低功率、小體積、低成本等優點,被廣泛應用于光電子學、生物醫學和信息技術等領域。深紫外LED燈珠是已經成熟的DUV技術產品之一。
深紫外LED燈珠的波長控制是實現深紫外LED應用的首要問題,具有關鍵的意義。那么接下來我們跟著鑫優威一起來了解一下關于深紫外LED燈珠波長值是怎樣劃分的?
一、波長值范圍
深紫外LED波長通常定義為200~400nm。其中200~280mm稱為 Vacuum-UV (VUV),280~320mm稱為 Far-UV
(FUV),320~400mm稱為 Near-UV
(NUV)。不同波長的深紫外LED在應用時具有不同的優缺點。VUV光具有高能量、強致突變、極強的分解和氧化等特性,但并不安全;FUV光具有較強的光生物學效應,廣泛應用于生物和醫療領域;NUV光具有較強的殺菌效果,并且對人類環境相對安全。
二、波長值劃分
深紫外LED的波長值劃分一般遵循以下規律。
1、UVA波長(315-400nm):UVA波長的深紫外LED燈珠常用于滅菌、印刷、UV固化、光纖通信和光催化等領域。
2、UVB波長(280-315nm):UVB波長的深紫外LED燈珠主要用于光治療、人體免疫調節、皮膚美容、水處理以及醫療器械等領域。
3、UVC波長(200-280nm):UVC波長的深紫外LED燈珠是一種低能量的紫外線,具有較強的殺菌和無損鑒定等特性。被廣泛應用于空氣凈化、飲用水凈化,肉類食品加工和卷煙濾嘴等領域。
總之,深紫外LED燈珠的波長劃分是按照其具體應用場景和功能的不同而進行劃分的,針對不同的應用場景和需要,選擇適合的波長是十分必要的。
三、影響波長值的因素
影響深紫外LED燈珠波長值的因素有很多,首先是LED芯片的基材和磊晶面,這兩個因素直接影響了電子濃度和電場曲率等。其次是p型摻雜的濃度和位置,n型摻雜的濃度和位置等因素。此外,外延曲率、金屬蒸發度、電極間距、界面上的缺陷及PN結的特性等方面也都會對深紫外LED燈珠的波長值產生影響。
四、技術現狀
深紫外LED燈珠波長控制技術在不斷地發展和完善中。由于深紫外LED燈珠的波長非常短,而DUV領域又對其波長的控制精度要求非常高,所以波長切割技術和準分子激光等新技術正在得到更加廣泛的應用。同時,材料優化技術、芯片工藝技術等的不斷創新也為深紫外LED燈珠波長值控制帶來了更強的技術支撐。
深紫外LED燈珠的波長控制是應用DUV技術的關鍵。波長劃分根據具體的應用場景和需求而定,并且受到多種因素的影響。隨著技術的不斷發展和完善,深紫外LED燈珠波長控制技術將會得到更加精細的掌控,為其廣泛的應用領域和市場需求提供更強有力的支撐。
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